产品时间:2024-11-28
配置及技术性能1. 光驱动电流显示:范围0~2000,三位半LED数码显示 2. 接收光强度显示:范围0~2000,三位半LED数码显示 3. 发光二极管:电信号转化为光信号(超高亮度) 4. 硅光电池:光信号转化为电信号 5. 功能切换开关:零偏、负偏、负载切换
一、概 述
半导体光探测器在数码摄像、光通信、太阳电池等领域得到广泛的应用,硅光电池是半导体探测器的一个基本单元,通过本实验对硅光电池的基本特性和简单应用作初步的了解和研究,对于了解使用日益广泛的各种光电器件,具有十分重要的意义。
二、配置及技术性能
光驱动电流显示:范围0~2000,三位半LED数码显示
接收光强度显示:范围0~2000,三位半LED数码显示
发光二极管:电信号转化为光信号(超高亮度)
硅光电池:光信号转化为电信号
功能切换开关:零偏、负偏、负载切换
I/V转换模块
电阻箱:0~99990Ω
三、实验项目
硅光电池输出短路时光电流与光信号的关系
硅光电池输出开路时产生光伏电压与输入信号的关系
硅光电池的频率响应
硅光电池输出功率与负载关系